7 月 1 日，韓國三星先進技術研究院與首爾國立大學的聯合研究團隊在國際頂級學術期刊《NATURE》（自然）上發表了一項極具突破性的 MicroLED 研究成果。該團隊成功研發出直徑僅 1.5 微米的高效紅光 InGaN 基 MicroLED，其峰值外量子效率（EQE）達到 6.5%，峰值波長為 649nm，并且具備柔性特性。這一成果有望突破 AR、VR 等元宇宙設備在微型化、高清化顯示方面的關鍵瓶頸，為相關領域的發展注入強大動力。​

    具有不同ALD鈍化層的紅光納米LED的光致發光(PL)和電致發光(EL)(圖片來源：NATURE)

    在技術突破方面，研究團隊采用了 1nm 厚的外延氮化鋁（AlN）鈍化層技術，通過氬等離子體輔助原子層沉積（ALD）工藝，在 MicroLED 側壁形成了單晶 AlN 薄膜。這種超薄鈍化層能夠有效減少非輻射復合，成功解決了傳統紅光 MicroLED 在尺寸縮小至 5 微米以下時效率驟降的難題。對比實驗結果令人矚目，該技術使光致發光強度提升了 2.5 倍，發光衰減時間延長了 4 倍，其性能遠超傳統的二氧化鉿（HfO₂）或三氧化二鋁（Al₂O₃）鈍化層。相關的具有不同 ALD 鈍化層的紅光納米 LED 的光致發光（PL）和電致發光（EL）圖片也在《NATURE》上公布（圖片來源：NATURE）。​

    柔性e-AlN鈍化紅色Micro LED的器件轉移(圖片來源：NATURE)

    為了實現 MicroLED 的柔性顯示，研發團隊將 MicroLED 陣列倒裝鍵合到聚酰亞胺（PI）基板，通過精準控制界面附著力，實現了硅襯底的無剝離移除，最終獲得了厚度不足 20μm 的柔性器件。測試結果顯示，這種柔性紅光 MicroLED 在彎曲狀態下依然能夠保持穩定發光，且亮度均勻性良好。柔性 e-AlN 鈍化紅色 Micro LED 的器件轉移相關圖片同樣來自《NATURE》。​

    研究團隊表示，此次成果成功突破了紅光 MicroLED 在效率與尺寸、剛性基板方面的限制。其 1.5μm 的發光尺寸和 6.5% 的 EQE，能夠滿足超高密度（>5000ppi）顯示的需求，可廣泛應用于 AR 眼鏡甚至電子隱形眼鏡等下一代設備。未來，通過進一步優化銦鎵氮外延層和集成驅動電路，有望提升效率均勻性，加速全彩柔性 MicroLED 顯示的商業化進程。​